BJTとFETの違い

主な違い–BJTとFET

BJT（バイポーラ接合トランジスタ） と FET（電界効果トランジスタ） 2つの異なるタイプです トランジスタ。トランジスタは、電子回路の増幅器またはスイッチとして使用できる半導体デバイスです。 NS 主な違い BJTとFETの間はそれです BJTはバイポーラトランジスタの一種です ここで、電流には多数派と少数派の両方のキャリアの流れが含まれます。対照的に、 FETはユニポーラトランジスタの一種です 大多数のキャリアだけが流れる場所。

BJTとは

BJTは2つのp-n接合で構成されています。 BJTは、その構造に応じて、npnタイプとpnpタイプに分類されます。 npn BJTでは、p型半導体の小さな、軽くドープされた部分が、2つの高濃度にドープされたn型半導体の間に挟まれています。逆に、pnp BJTは、n型半導体をp型半導体の間に挟むことによって形成されます。 npnBJTがどのように機能するかを見てみましょう。

BJTの構造を以下に示します。 n型半導体の1つは エミッター （Eでマーク）、他のn型半導体は コレクタ （Cでマークされています）。 p型領域はと呼ばれます ベース （Bでマークされています）。

の構造 npn BJT

大きな電圧がベースとコレクターの間に逆バイアスで接続されています。これにより、ベースとコレクターの接合部を横切って大きな空乏領域が形成され、ベースからの正孔がコレクターに流れ込むのを防ぐ強い電界が発生します。ここで、エミッタとベースが順方向バイアスで接続されている場合、電子はエミッタからベースに簡単に流れることができます。そこに到達すると、一部の電子はベースの正孔と再結合しますが、ベースとコレクタの接合部を横切る強い電界が電子を引き付けるため、ほとんどの電子がコレクタに溢れ、大電流が発生します。コレクタを流れる（大）電流はエミッタを流れる（小）電流で制御できるため、BJTを増幅器として使用できます。さらに、ベース-エミッタ接合間の電位差が十分に強くない場合、電子はコレクタに入ることができないため、電流はコレクタを流れません。このため、BJTはスイッチとしても使用できます。

pnp接合は同様の原理で機能しますが、この場合、ベースはn型材料でできており、大部分のキャリアは穴です。

FETとは

FETには、接合型電界効果トランジスタ（JFET）と金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）の2つの主要なタイプがあります。いくつかの違いもありますが、それらは同様の動作原理を持っています。今日、MOSFETはJFETよりも一般的に使用されています。この記事ではMOSFETの動作について説明したので、ここではJFETの動作に焦点を当てます。

BJTがnpnおよびpnpタイプで提供されるのと同様に、JFETSもnチャネルおよびpチャネルタイプで提供されます。 JFETがどのように機能するかを説明するために、pチャネルJFETを見てみましょう。

pチャネルJFETの概略図

この場合、「穴」はターミナル（Sのラベルが付いている）から ドレイン ターミナル（Dのラベルが付いています）。ゲートは逆バイアスで電圧源に接続されているため、ゲートと電荷が流れるチャネル領域の間に空乏層が形成されます。ゲートの逆電圧が増加すると、空乏層が成長します。逆電圧が十分に大きくなると、空乏層が大きくなりすぎて「ピンチオフ」し、ソースからドレインへの電流の流れを停止する可能性があります。したがって、ゲートの電圧を変更することにより、ソースからドレインへの電流を制御できます。