NPNトランジスタとPNPトランジスタの違い

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Anonim

主な違い–NPNとPNP

NPNとPNPは2種類のトランジスタです。トランジスタは、ドープされたp型およびn型接合で作られた半導体デバイスです。 NS 主な違い NPNとPNPトランジスタの間は、 NPNトランジスタでは、p型半導体が2つのn型半導体の間に挟まれています。 一方、 PNPトランジスタでは、n型半導体が2つのp型半導体の間に挟まれています。.

NPNトランジスタとは

NPNトランジスタの構造を以下に示します。

NPNBJTトランジスタ

ドープされた半導体のそれぞれに3つの端子が接続されている。上図の真ん中の端子は、 ベース (NS)。左側のターミナルは エミッター (E)と右側のターミナルは コレクタ (NS)。

NPNトランジスタでは、ベースは負の電位に接続され、コレクタは正の電位に接続されるため、ベースとコレクタの接合部は大きな逆バイアスの下で接続されます。エミッターとコレクターは順方向バイアスで接続されています。これにより、電子がエミッタからベースに向かって流れます。これは大きなフラックスであり、電子はベースを横切ってコレクターに到達します。

NPNトランジスタの回路記号を以下に示します。

NPNトランジスタの回路記号

PNPトランジスタとは

PNPトランジスタは、NPNトランジスタと同じ原理で動作するため、PNPトランジスタの特性は、ほとんどの場合、NPNトランジスタの逆バージョンです。

たとえば、ベースはコレクタに対して正の端子に接続されているため、ベースとコレクタの接合部は逆バイアスされます。その結果、穴はコレクターからベースに流れることができません。ベース-エミッタ接合は順方向バイアスで接続されています。そのため、穴はエミッタからベースに入ることができます。それらは基地に氾濫し、基地とコレクターの間の空乏領域をなんとか越えてコレクターに入ります。

一つ NPNトランジスタとPNPトランジスタの基本的な違い それは PNPトランジスタの多数キャリアは正孔です。正孔は電子に比べてわずかにゆっくりと移動するため、PNPトランジスタのスイッチング時間はNPNトランジスタに比べて遅くなります。

PNPトランジスタ

PNPトランジスタの回路記号を以下に示します。

PNPトランジスタの回路記号

以下の画像は、バイポーラ接合トランジスタがどのように見えるかを示しています。

トランジスタ

ほとんどの場合、NPNトランジスタとPNPトランジスタを見るだけでは区別できません。それらはマルチメータに接続することができ、トランジスタがどの極性で電流を流すかを調べることにより、2つのタイプを判別することができます。

NPNトランジスタとPNPトランジスタの違い

構造:

NS NPNトランジスタ 2つのn型半導体の間に挟まれたp型半導体で構成されています。

NS PNPトランジスタ 2つのp型半導体の間に挟まれたn型半導体で構成されています。

マジョリティキャリア:

の過半数のキャリア NPNトランジスタ 電子です。

の過半数のキャリア PNPトランジスタ 穴です。

切り替え時間:

NS NPNトランジスタ に比べてスイッチング時間が速い PNPトランジスタ.

画像提供:

ウィキメディアコモンズ経由のInductiveloadによる「アクティブモードでのNPNBJTの基本操作」(独自の描画、Inkscapeで行われる)[パブリックドメイン]

ウィキメディアコモンズ経由のE2m(自作)[パブリックドメイン]による無題の画像

「コレクタ-エミッタ間電圧を示すPNBPJTの構造図…」Inductiveload(File:Pnp-structure.pngに基づく自作、英語版ウィキペディアのUser:Heronによる)[CC BY-SA 3.0] 、ウィキメディアコモンズ経由

ウィキメディアコモンズ経由のE2m(自作)[パブリックドメイン]による無題の画像

Windell Oskayによる「トランジスタ、抵抗器」(自作)[CC BY-SA 2.0]、flickr経由(変更)

NPNトランジスタとPNPトランジスタの違い