NPNトランジスタとPNPトランジスタの違い
目次:
主な違い–NPNとPNP
NPNとPNPは2種類のトランジスタです。トランジスタは、ドープされたp型およびn型接合で作られた半導体デバイスです。 NS 主な違い NPNとPNPトランジスタの間は、 NPNトランジスタでは、p型半導体が2つのn型半導体の間に挟まれています。 一方、 PNPトランジスタでは、n型半導体が2つのp型半導体の間に挟まれています。.
NPNトランジスタとは
NPNトランジスタの構造を以下に示します。
NPNBJTトランジスタ
ドープされた半導体のそれぞれに3つの端子が接続されている。上図の真ん中の端子は、 ベース (NS)。左側のターミナルは エミッター (E)と右側のターミナルは コレクタ (NS)。
NPNトランジスタでは、ベースは負の電位に接続され、コレクタは正の電位に接続されるため、ベースとコレクタの接合部は大きな逆バイアスの下で接続されます。エミッターとコレクターは順方向バイアスで接続されています。これにより、電子がエミッタからベースに向かって流れます。これは大きなフラックスであり、電子はベースを横切ってコレクターに到達します。
NPNトランジスタの回路記号を以下に示します。
NPNトランジスタの回路記号
PNPトランジスタとは
PNPトランジスタは、NPNトランジスタと同じ原理で動作するため、PNPトランジスタの特性は、ほとんどの場合、NPNトランジスタの逆バージョンです。
たとえば、ベースはコレクタに対して正の端子に接続されているため、ベースとコレクタの接合部は逆バイアスされます。その結果、穴はコレクターからベースに流れることができません。ベース-エミッタ接合は順方向バイアスで接続されています。そのため、穴はエミッタからベースに入ることができます。それらは基地に氾濫し、基地とコレクターの間の空乏領域をなんとか越えてコレクターに入ります。
一つ NPNトランジスタとPNPトランジスタの基本的な違い それは PNPトランジスタの多数キャリアは正孔です。正孔は電子に比べてわずかにゆっくりと移動するため、PNPトランジスタのスイッチング時間はNPNトランジスタに比べて遅くなります。
PNPトランジスタ
PNPトランジスタの回路記号を以下に示します。
PNPトランジスタの回路記号
以下の画像は、バイポーラ接合トランジスタがどのように見えるかを示しています。
トランジスタ
ほとんどの場合、NPNトランジスタとPNPトランジスタを見るだけでは区別できません。それらはマルチメータに接続することができ、トランジスタがどの極性で電流を流すかを調べることにより、2つのタイプを判別することができます。
NPNトランジスタとPNPトランジスタの違い
構造:
NS NPNトランジスタ 2つのn型半導体の間に挟まれたp型半導体で構成されています。
NS PNPトランジスタ 2つのp型半導体の間に挟まれたn型半導体で構成されています。
マジョリティキャリア:
の過半数のキャリア NPNトランジスタ 電子です。
の過半数のキャリア PNPトランジスタ 穴です。
切り替え時間:
NS NPNトランジスタ に比べてスイッチング時間が速い PNPトランジスタ.
画像提供:
ウィキメディアコモンズ経由のInductiveloadによる「アクティブモードでのNPNBJTの基本操作」(独自の描画、Inkscapeで行われる)[パブリックドメイン]
ウィキメディアコモンズ経由のE2m(自作)[パブリックドメイン]による無題の画像
「コレクタ-エミッタ間電圧を示すPNBPJTの構造図…」Inductiveload(File:Pnp-structure.pngに基づく自作、英語版ウィキペディアのUser:Heronによる)[CC BY-SA 3.0] 、ウィキメディアコモンズ経由
ウィキメディアコモンズ経由のE2m(自作)[パブリックドメイン]による無題の画像
Windell Oskayによる「トランジスタ、抵抗器」(自作)[CC BY-SA 2.0]、flickr経由(変更)
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